国网公司未来转型发展的重要方向 2020年泛在电力物联网将迎突破年

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文献链接：未物联网DefectEngineeringofGrainBoundariesinLead-FreeHalideDoublePerovskitesforBetterOptoelectronicPerformance(Adv.Funct.Mater.,2019,DOI:10.1002/adfm.201805870)本文由清华大学材料学院柳百新院士课题组校对，未物联网由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。在ΔμAg=0eV点D(图d)，转型ΔμAg=-0.4eV点E(图e)和ΔμAg=-0.8eV点F(图f)生长条件下Cs2AgBiCl6中20种本征点缺陷的形成能。

图7生长体相Cs2AgBiCl6的稳定化学势区域a-c)在ΔμAg=0、发展泛-0.4和-0.8eV稳定的化学势区域中，发展泛Cli掺入Cs2AgBiCl6Σ5(310)GB的缺陷形成能随ΔμCs和ΔμBi的变化，其中黑色虚线表示ΔHf[Cli]0的区域(右)和ΔHf[Cli]0的区域(左)的边界。重电力b)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6态密度。图5Cs2AgInCl6体相中本征缺陷物理研究在ΔμAg=0eV点A(图a)、要方迎突ΔμAg=-0.1eV点B(图b)和ΔμAg=-0.2eV点C(图c)生长条件下，Cs2AgInCl6中20种本征点缺陷的形成能。

图2含晶界的两类HDP的能带结构a)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构，破年其中带隙内的深能级缺陷态[a图中的S1,S2和S3态以及c图中的T1和T2态]以粗线突出显示，破年而体相态由阴影区域突出显示(下同)。国网公司e)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6能带示意图。

图6第II类HDP中不利晶界处缺陷(及复合物)的形成a)Cli掺入后，未物联网具有Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6的能带结构，而体相态由阴影区域突出显示。

b)InAg+Cli掺入后，转型具有Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构。6、发展泛过于兴奋狗狗有时候太兴奋了，发展泛也可能会不知轻重的咬人，常见的就是宠主在和狗狗玩耍的时候，狗狗玩得太兴奋了，尤其是和狗狗玩追逐游戏的时候，狗狗追上了就会用牙去叼主人，这样宠主被咬也不是不可能。

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